晶圓鍵合自動系統匯集多項技術突破，令半導體行業向實現3D-IC硅片通道高容量生產的目標又邁進了一步。新系統晶圓對晶圓排列精度是過去標準平臺的三倍，生產能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業應用3D-IC及硅片通道技術掃清了幾大關鍵障礙，使半導體行業能夠在未來不斷提升設備密度，強化設備機能，同時又無需求助于越發昂貴復雜的光刻工藝技術。
晶圓對晶圓鍵合自動系統是激活諸如堆疊式內存，邏輯記憶以及未來互補金屬氧化物半導體圖像感應器等3D裝置的一個關鍵步驟。與此同時，是實現各鍵合晶圓之間電接觸點的硅片通道尺寸的最小化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個關鍵方面。然而，只有實現了各晶圓之間緊密排列和套準精度，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸，并且將鍵合面上的連接區域最小化，才能夠將更多的晶圓面積用于裝置生產。
晶圓鍵合自動系統是推動半導體性能擴展的關鍵
根據IRDS路線圖，寄生縮放將成為未來幾年邏輯器件性能的主要驅動力，需要新的晶體管架構和材料。IRDS路線圖還指出，將需要新的3D集成方法（例如M3D）來支持從2D到3D VLSI的長期過渡，包括背面配電，N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及CMOS以外的功能采用。層轉移工藝和工程襯底通過幫助實現設備性能，功能和功耗的顯著改善，正在使邏輯縮放技術成為可能。通過等離子活化進行直接晶圓鍵合是一種行之有效的解決方案，可實現不同材料的異質集成。
EV Group執行技術總監Paul Lindner表示：“作為晶圓鍵合的先驅，EVG一直在幫助客戶將新的半導體技術從早期研發帶入全面生產方面處于蕞前沿。”“將近25年前，EVG推出了業界初款絕緣體上硅（SOI）晶圓鍵合自動系統，以支持針對利基應用的高頻和輻射硬件設備的生產。從那時起，我們一直在不斷提高直接鍵合平臺的性能和CoO，以幫助我們的客戶將工程基板的優勢帶入更廣泛的應用領域。我們全新的系統解決方案將其提升到一個新的水平，從而提高了生產率，從而滿足了對工程襯底和層轉移處理不斷增長的需求，從而實現了持續的性能。
晶圓鍵合自動系統是用于前端應用所需的融合/直接晶圓鍵合的大批量生產系統。該系統采用EVG的LowTemp™等離子活化技術，在一個適用于多種熔融/分子晶片的單一平臺上，結合了熔合的所有基本步驟-包括清潔，等離子體活化，對準，預結合和IR檢查。綁定應用程序。該系統能夠處理200毫米和300毫米晶圓，可確保無空隙，高產量和高產量的生產過程。
晶圓鍵合自動系統集成了下一代融合/直接鍵合模塊，新的晶圓處理系統和光學邊緣對準功能，可提供更高的生產率和生產率，從而滿足客戶提高工程襯底晶圓生產和M3D集成的需求。
