EV集團（EVG，岱美儀器供應商）是面向MEMS，納米技術和半導體市場的晶圓鍵合和光刻設備的領仙供應商，今天宣布已收到東京大學的EVG810LT等離子活化訂單化合物半導體研究系統。EVG810LT安裝在大學的Takagi＆Takenaka實驗室，增強了實驗室的研究重點，該研究致力于使用絕緣體III-V（III-V-OI）和絕緣體鍺開發新穎的MOSFET和電子光子集成電路（EPIC） （GeOI）基板。這些先進的材料襯底旨在超越常規硅半導體和硅光子學的性能，在這些襯底中，III-V類材料（如磷化銦（InP），砷化銦鎵（InGaAs）和鍺結合到硅晶片上。EVG810LT使用等離子活化晶片表面以進行低溫直接晶片鍵合，并已被其他客戶用于絕緣體上硅（SOI）晶片和背面照明CMOS圖像傳感器的大批量生產。
高木大學副教授Mitsuru Takenaka博士說：“半導體器件的小型化已達到其物理極限，并且根據摩爾定律的縮小晶體管（縮放比例）不足以滿足未來對LSI器件更高性能的需求。”和東京大學竹中實驗室。“在摩爾定律結束后，具有將III-V化合物半導體或鍺自由堆疊在硅半導體上的3D集成電路有望成為提高LSI性能的突破之一。為了支持我們的努力，我們采用了EV Group的等離子活化技術EVG810LT系統可幫助我們實現更低的溫度和高質量的晶圓鍵合。”
EV Group Japan KK的代表董事山本博（Hiroshi Yamamoto）在評論今天的宣布時說：“我們為支持東京大學最仙進的LSI器件研究而選擇我們的系統非常榮幸。The Takagi＆Takenaka的創新成果預計實驗室將解決半導體行業當前面臨的基本問題，基于我們公司“發明，創新和實施”的Triple-i理念，EV集團一直與活躍于先進領域的大學和研發機構合作。將繼續為高木和竹中實驗室提供成功進行前沿研究所需的技術支持。
物聯網（IoT），大數據和人工智能（AI）的出現推動了對功耗更低，性能更高且功能更強大的電子設備的新一波需求。為了滿足這一需求，半導體行業正在評估將新材料與超越純硅基晶片的硅結合起來的好處。這一轉變為化合物半導體的未來市場增長以及更有效的制造技術實現最大終端設備性能鋪平了道路。例如，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝（其中通過異質外延生長在基板上沉積II-VI或III-V材料的薄膜）會導致不一致的晶圓形成。這損害了晶片表面的完整性，并最終影響了終端設備的性能。具有等離子活化的直接晶圓鍵合是一種有前途的解決方案，能夠實現不同材料的異質集成并實現高質量的工程襯底。
EVG將在12月13日至15日在日本東京的東京Bit Sight-東京國際展覽中心舉行的SEMICON Japan展覽會上展示EVG810LT系統等離子活化系統。有興趣了解有關EVG光刻和晶圓鍵合解決方案套件更多信息的與會人員將參觀公司的5238號展位。
東京大學成立于1877年，是日本第一所國立大學。東京大學是一所領仙的研究型大學，基本上提供本科和研究生級別的所有學科的課程，并在整個學術活動中進行研究。該大學旨在為學生提供豐富多樣的學術環境，以確保他們既有智力發展機會，又有專業知識和技能的學習機會。
EV Group（EVG）是制造半導體，微機電系統（MEMS），化合物半導體，功率器件和納米技術器件的設備和工藝解決方案的領仙供應商。是岱美儀器的主要供應商。主要產品包括晶圓鍵合，薄晶圓處理，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計量設備，以及光刻膠涂布機，清潔劑和檢查系統。EV Group成立于1980年，為精致的客戶和合作伙伴提供服務并提供支持。
